Scintil實現III-VI DFB激光器和放大器與標準硅光技術集成

  ICC訊（編譯：Nina）法國Grenoble，2024年2月27日--創新硅光子集成電路(PIC)的領先供應商Scintil Photonics今天宣布，已將III-V-DFB激光器和放大器與標準硅光子技術集成在Tower Semiconductor的生產中，這標志著Scintil在加強供應鏈方面邁出了關鍵的一步。

  Scintil的全集成電路采用獨特的專有技術，依靠標準硅光子學，實現激光器和放大器的單片集成，在低功耗下為數據中心、人工智能和5G應用帶來更高的性能、速度、可靠性和高密度。

  Scintil采用Tower的大批量基礎PH18M硅光子代工技術，包括低損耗波導、光電探測器和調制器，在晶圓背面單片集成DFB激光器和放大器?？蛻魧cintil電路的進一步測試表明，不需要密封封裝，同時證明了老化和堅固性的改善。

  Scintil Photonics總裁兼首席執行官Sylvie Menezo表示：“我們很高興與全球領先的晶圓代工廠Tower Semiconductor合作。在我們致力于推進通信技術和產品的過程中，我們的合作標志著一個重要的里程碑。由于我們的長期合作，我們有能力提供激光增強硅光子IC，重新定義集成、性能和可擴展性。這將使Scintil能夠大批量生產，以滿足市場需求。此外，我們的技術為實現更多材料的集成提供了非凡的機會，如量子點和鈮酸鋰材料?！?

  根據市場研究公司LightCounting的數據，硅光子收發器市場預計將以24%的復合年增長率(CAGR)增長，到2025年其總可尋址市場(TAM)將達到至少70億美元。

  Tower Semiconductor射頻業務部副總裁兼總經理Edward Preisler表示：“我們很高興能夠在這個高度集成的解決方案中支持Scintil，該解決方案利用了來自Tower的成熟的生產構件。III-V光放大器/激光器的集成符合Tower Semiconductor將尖端硅光子技術推向市場的承諾?！?

  關于Scintil Photonics

  Scintil Photonics開發和銷售增強型硅光子電路，包括：單片DWDM光源，由8到16個頻率間隔為100或200 GHz的激光器組成;單片CWDM 800Gbit/sec和1600Gbit/sec發射機，集成了DFB激光器、放大器和接收機。該公司開發了用于光子電路低速控制的創新電子產品，并使用了現成的尖端高速驅動器/TIA。

  原文：Scintil achieves integration of III-V DFB lasers and amplifiers with standard silicon photonics technology in production at Tower Semiconductor;https://www.scintil-photonics.com/post/integration-of-iii-v-dfb-lasers-and-amplifiers-with-standard-silicon-photonics-technology